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華為晶片技術快速進步 中芯國際僅落後台積電3年

〔綜合報導〕儘管美國對華為的出口禁令已經持續了五年,但大陸在高階晶片技術上的進展卻不容小覷。根據日本經濟新聞報導,半導體調查企業TechanaLye分析華為手機後發現,大陸的晶片技術實力已經迎頭趕上,目前僅比台積電落後三年。

TechanaLye社長清水洋治表示,通過對比2024年華為最新旗艦手機Pura 70 Pro與2021年一款智慧手機的晶片,他們發現Pura 70 Pro所使用的「麒麟9010」晶片由海思半導體設計,並採用中芯國際的7奈米製程生產;而2021年的「麒麟9000」晶片則是由台積電5奈米製程生產。儘管製程不同,但兩者的晶片面積差異不大,且處理性能幾乎相同,這表明中芯國際的7奈米技術已經具備了接近台積電5奈米技術的性能水準。

清水洋治強調,這一進展顯示出中芯國際的技術實力正快速追趕台積電,而海思在晶片設計能力上也有顯著提升。雖然中芯國際的良率尚不及台積電,但在尖端技術的競爭中,台積電要繼續大幅領先中國企業將變得越來越困難。

此外,清水洋治還指出,Pura 70 Pro所搭載的半導體中,有86%來自於中國,僅有少部分來自韓國SK海力士的DRAM和博世的運動感測器。這表明中國在晶片自給自足方面的進展同樣令人矚目。

國際半導體產業協會(SEMI)也指出,為應對美國的管制,中國正積極擴大成熟製程晶圓的產能,預計今年中國晶圓廠的產能將年增14%,並在2025年再增長15%,屆時中國將佔全球晶圓產能的30%。

清水洋治總結道,美國的管制措施雖然略微減緩了中國的技術進步,但同時也推動了中國半導體產業的自主發展。

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陳 一南

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