〔綜合報導〕中國科技巨頭華為（Huawei）在半導體技術上的進展引發了市場的廣泛關注。2023年10月，華為推出搭載7奈米晶片的Mate 60高階手機，震驚市場。然而，華為並未止步於此，今年3月，市場傳出華為已向5奈米製程邁進。僅僅兩個月後，市場又爆出華為正計劃進一步推進至3奈米技術。
根據《Tom’s Hardware》的報導，今年早些時候，華為與其合作夥伴中芯國際（SMIC）提交了一項名為自對準多重圖案化（Self-Aligned Quad Patterning, SAQP）的晶片專利，目標是生產5奈米晶片。然而，這並非他們的終極目標，因為華為和中芯國際正計劃使用深紫外光（DUV）工具和多重圖案化技術來實現3奈米製程。
此外，與華為合作的國家支持的晶片製造設備開發商SiCarrier也獲得了多重圖案化技術的專利，進一步證實了中芯國際計劃將這項技術應用於未來的製程節點。市場顧問公司TechInsights指出，多重圖案化技術雖然可以讓中國製造商生產5奈米級晶片，但要在3奈米節點上使用這一技術，仍面臨巨大的挑戰。
中芯國際面臨的最大挑戰之一是無法使用艾司摩爾（ASML）的先進曝光設備。由於中芯國際被限制使用這些關鍵設備，因此只能另辟蹊徑，依靠多重圖案化技術來達成目標。產業專家指出，英特爾曾在2019年至2021年期間為避免對先進曝光機的依賴，嘗試在10奈米製程中使用多重圖案化技術，但最終因良率問題而失敗。
對於中芯國際來說，多重圖案化技術的應用對於半導體技術的進步至關重要。這項技術能夠生產出更複雜的晶片，包括下一代用於消費設備的海思麒麟處理器和用於人工智慧伺服器的昇騰處理器。雖然這條路充滿挑戰，但對於中國半導體產業的發展而言，這是必須面對和克服的障礙。
TechInsights分析指出，華為與中芯國際的合作顯示了中國企業在半導體領域的不懈努力和創新精神。他們的目標不僅是縮小與全球領先技術之間的差距，更是要實現自主可控的高端製程技術。這一過程中，技術挑戰和市場壓力並存，但也為中國半導體產業的自主創新提供了動力。
